6GHz~12GHz氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)CMPA601C025F，可提供25W的功率

CMPA601C025F是WOLFSPEED公司推出的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)，其基于碳化硅(SiC)衬底的单片微波集成电路(MMIC)，并采用0.25μm栅极长度工艺制造。其具有高达28V的工作电压，高达40W的P_SAT，其还可以在6GHz~12GHz的瞬时带宽范围内，提供25W的功率。

在25ºC条件下，CMPA601C025F高电子迁移率晶体管的漏源电压的最大值为84V，漏源击穿电压可达100V，栅源电压的最大值范围为-10V~+2V,最大正向栅极电流可达23mA。其支持在6GHz~12GHz的瞬时频率下工作，在此频率范围下，其小信号增益范围为31dB~37dB，输出功率P_OUT@P_IN=22dBm的范围为34W~51W，功率增益@P_IN=22dBm范围为23dB~25dB，PAE@P_IN=22dBm范围为21%~36%。其具有高增益和卓越的效率，其特性曲线如下图所示：

上图中的红线代表增益PG，绿线代表效率PAE,蓝线代表输出功率POUT，该特性曲线的条件为：V_DD=28V, I_DQ=2.0A, P_IN=22dBm。

CMPA601C025F高电子迁移率晶体管采用耐热增强型的10引脚25mm x 9.9mm金属/陶瓷法兰封装，其为50欧姆的小尺寸封装。其工作温度和存储温度均为-40ºC~+150ºC，另外，其最大结温高达225ºC，可用于高温环境。其主要可用于干扰放大器，测试设备放大器，宽带放大器领域。

图1 CMPA601C025F高电子迁移率晶体管实物图

CMPA601C025F高电子迁移率晶体管的产品特性：

• 31dB~37dB的小信号增益

• P_SAT典型值为40W

• 工作电压高达28V

• 高击穿电压

• 高温操作

• 尺寸：0.172 x 0.239 x 0.004英寸

CMPA601C025F高电子迁移率晶体管的应用领域：

• 干扰放大器

• 测试设备放大器

• 宽带放大器

图2 CMPA601C025F高电子迁移率晶体管引脚定义

图3 CMPA601C025F高电子迁移率晶体管产品订购信息