- 品牌：
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- 系列：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率 - 最大值：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- 已选条件：
7,615 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V S... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V S... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V S... |
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3,000 | 9,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 50V 0.2... |
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1 | 7,350 | 提交询价 | ||
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Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 50V 0.2... |
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Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 50V 0.2... |
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3,000 | 3,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET 2 N-CH 20V 5.... |
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1 | 11,686 | 提交询价 | ||
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET 2 N-CH 20V 5.... |
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET 2 N-CH 20V 5.... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N/P-CH 20V 4... |
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1 | 5,640 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N/P-CH 20V 4... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N/P-CH 20V 4... |
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3,000 | 3,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
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1 | 3,009 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 20V 4A... |
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3,000 | 3,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 0.2... |
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1 | 6,275 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 0.2... |
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Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 0.2... |
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1 | 3,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 0.2... |
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1 | 4,290 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 0.2... |
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