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- 系列：
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- 包装：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
- 已选条件：
49,532 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2.6A... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 20A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 20A... |
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1 | 1,173 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 20A... |
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1,500 | 25,500 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 16A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 16A... |
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1 | 1,122 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 16A... |
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1 | 4,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A... |
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1 | 8,509 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A... |
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1 | 8,509 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A... |
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1 | 6,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.1A... |
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1 | 1,194 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.1A... |
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1 | 1,194 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.1A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 6T... |
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1 | 1,576 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 6T... |
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1 | 1,576 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 6T... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.66... |
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1 | 1,998 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.66... |
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1 | 1,998 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.66... |
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4,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V XQ... |
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1 | 4,177 | 提交询价 |
